سامسونگ الکترونیک تولید اولین حافظه یک ترابایتی خود را آغاز کرده است. این تراشه مدتی است که وارد خط تولید انبوه شده پس انتظار می‌رود نسل بعدی پرچمداران سامسونگ از این تراشه استفاده کنند. احتمالا سامسونگ گلکسی S10+ اولین گوشی مجهز به این تراشه خواهد بود.
این حافظه یک ترابایتی با اینکه دقیقا به اندازه حافظه ۵۱۲ گیگابایتی قبلی است اما ظرفیتی دو برابری را ارائه می‌کند و از ترکیب ۱۶ لایه حافظه V-NAND تشکیل شده است. اما سامسونگ فقط به کوچک نگه داشتن این تراشه اتکا نکرده است و شاهد افزایش سرعت چشم‌گیر نیز هستیم.
این حافظه توانایی خواندن اطلاعات با سرعتی بالغ بر ۱۰۰۰ مگابایت برثانیه و نوشتن اطلاعات با سرعت ۲۶۰ مگابایت بر ثانیه را دارا است. برای درک درست سرعت این تراشه کافیست بدانید که یک حافظه SSD سرعت خواندنی حدود ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه دارد. در مقایسه این حافظه یک ترابایتی با نسخه ۵۱۲ گیگابایتی پیشین، سرعت خواندن اطلاعات حدود ۳۸ درصد افزایش داشته است.
در جدول زیر می‌توانید به مقایسه انواعی از حافظه‌های داخلی بپردازید.
| Memory | Sequential Read | Sequential Write | Random Read | Random Write |
| ۱TB eUFS 2.1 | ۱۰۰۰ MB/s | ۲۶۰ MB/s | ۵۸,۰۰۰ IOPS | ۵۰,۰۰۰ IOPS |
| ۵۱۲GB eUFS 2.1 | ۸۶۰ MB/s | ۲۵۵ MB/s | ۴۲,۰۰۰ IOPS | ۴۰٫۰۰۰ IOPS |
| ۲۵۶GB UFS Card | ۵۳۰ MB/s | ۱۷۰ MB/s | ۴۰,۰۰۰۰ IOPS | ۳۵٫۰۰۰ IOPS |
| ۲۵۶ eUFS 2.0 | ۸۵۰ MB/s | ۲۶۰ MB/s | ۴۵,۰۰۰ IOPS | ۴۰,۰۰۰ IOPS |
| ۱۲۸GB eUFS 2.0 | ۳۰۰ MB/s | ۱۵۰ MB/s | ۱۹,۰۰۰ IOPS | ۱۴,۰۰۰ IOPS |
نظرات