میکرون از حافظه ۱۶ گیگابایتی DDR5-7200 MT/s با فناوری پیشرفته ۱β رونمایی کرد

افشین نوری
۱۹ مهر ۱۴۰۲ - 10:04
میکرون

میکرون از DDR5 جدید ۱۶ گیگابایتی خود برای استفاده در سرورها و رایانه‌های شخصی رونمایی کرده است که سرعت آن به لطف فناوری ۱β به ۷۲۰۰MT/s می‌رسد.

میکرون اعلام کرده که فناوری ۱β (۱-بتا) خود را با معرفی حافظه ۱۶ گیگابایتی DDR5 گسترش داده است. این حافظه با سرعت ۷۲۰۰MT/s هم‌اکنون برای همه مشتریان پایگاه داده و رایانه شخصی قابل دسترس است و تا ۵۰ درصد افزایش عملکرد و ۳۳ درصد بهبود عملکرد در هر وات نسبت به نسل قبلی ارائه می‌کند.

یکی از مدیران میکرون گفته است که تولید انبوه این حافظه برای پلتفرم‌های مختلف، نقطه عطف مهمی در صنعت حافظه است و همکاری ما با شرکای اکوسیستم باعث پذیرش سریع‌تر آن در بازار خواهد شد.

فناوری پیشرفته ۱β میکرون، به این شرکت اجازه می‌دهد تا طیف وسیعی از راهکارهای مبتنی بر حافظه، مثل دستگاه‌های DDR5 RDIMM و MCRDIMM با استفاده از فرمت‌های DRAM 16، ۲۴ و ۳۲ گیگابایتی، LPDDR5X با استفاده از فرمت‌های DRAM 16 و ۲۴ گیگابایتی، و HBDRM3ME ارائه دهد.

میکرون اخیرا از استاندارد جدید حافظه UFS 4.0 نیز رونمایی کرده بود. این فناوری برای ذخیره اطلاعات در دستگاه‌هایی مثل گوشی هوشمند و تبلت‌ها استفاده خواهد شد و در سه سایز ۲۵۶ گیگابایت، ۵۱۲ گیگابایت و ۱ ترابایت عرضه خواهد شد. دستگاه‌های مجهز به این حافظه از نیمه دوم ۲۰۲۳ روانه بازار خواهند شد.

استاندارد جدید UFS 4.0 باعث بهتر شدن دستگاه‌های موبایلی خواهد شد و بهبودهایی را در بخش سرعت و مصرف انرژی ارائه خواهد کرد. دستگاه‌های مجهز به این نوع حافظه خواهند توانست اپلیکیشن‌ها را ۱۵ درصد سریع‌تر باز کنند و در نتیجه شما مجبور نخواهید بود برای اجرای اپلیکیشن یا بازی موردعلاقه خود مدت زمان زیادی منتظر بمانید. از طرفی، این دستگاه‌ها ۲۰ درصد سریع‌تر بوت خواهند شد که در مقایسه با استانداردهای قبلی حافظه بسیار قابل توجه است.

استاندارد UFS 4.0 همچنین باعث بهبود مصرف انرژی خواهد شد و دستگاه‌های مجهز به آن ۲۵ درصد انرژی کمتری مصرف خواهند کرد. در نتیجه باتری این دستگاه‌ها مدت زمان بیشتری دوام خواهند آورد و زود خالی نخواهند کرد.

ویژگی مهم دیگر UFS 4.0 سرعت نوشتن اطلاعات آن است که بسیار سریع‌تر از استانداردهای قبلی در این زمینه عمل خواهد کرد. پهنای باند نوشتن این حافظه با به عبارتی سرعت ذخیره‌سازی اطلاعات در این حافظه ۱۰۰ درصد سریع‌تر از نسل قبلی خواهد بود.

مطالب مرتبط سایت

نظرات

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.