حافظه‌ی جدید سامسونگ از نوع eUFS 3.1 با حجم ۵۱۲ گیگ است و می تواند فیلم‌های ۸K و فایل‌های تصویری با حجم و اندازه بزرگ را بدون بافرینگ ذخیره کند.
سامسونگ امروز اعلام کرد که تولید انبوه حافظه‌های ۵۱۲ گیگابایتی از نوع eUFS 3.1 را برای استفاده در گوشی‌های هوشمند پرچمدارآغاز کرده است. این حافظه‌های جدید ۵۱۲ گیگابایتی از نظر سرعت نوشتن سه برابر سریع‌تر از حافظه‌های ۵۱۲ گیگابایتی فعلی یعنی از نوع eUFS 3.0 ارائه می‌دهند. سامسونگ همچنین به این موضوع اشاره کرده که حافظه‌های eUFS 3.1 برای اولین بار در این صنعت، آستانه‌ی عملکرد ۱ گیگابیت بر ثانیه را در انجام عمل ذخیره سازی در گوشی‌های هوشمند را می‌شکند.
حافظه‌ی ۵۱۲ گیگابایتی eUFS 3.1 سامسونگ با حداکثر سرعت نوشتن بیش از ۱۲۰۰ مگابیت در ثانیه، به کاربران این امکان را می دهد تا فیلم‌های ۸K یا چند صد فایل عکس با اندازه‌ی بزرگ را در گوشی‌های هوشمند خود بدون هیچ‌گونه فرایند بافرینگ ذخیره نمایند. سامسونگ همچنین خاطرنشان کرد که دستگاه‌های جدید مبتنی بر eUFS 3.1 برای انتقال ۱۰۰ گیگابایت اطلاعات تنها به ۹۰ ثانیه زمان نیاز دارند. سامسونگ همچنین در نظر دارد حافظه‌های جدیدش را در مدل‌های ۲۵۶ گیگابایتی و ۱۲۸ گیگابایتی را در اواخر سال جاری برای گوشی‌های هوشمند پرچمدار راه اندازی کند.
سامسونگ تولید نسل پنجم V-NAND را در شهر جدید Xi’an چین، لاین (X2) در این ماه شروع کرد تا بتواند به تقاضای تمام درخواست کنندگان کارت خیره سازی برای گوشی‌های هوشمند پرچمدار و دستگاه‌های رده بالای کل بازار به طور کامل پاسخ دهد. این شرکت قصد دارد به زودی تولید حجم V-NAND را در خط Pyeongtaek (P1) خود در کره از نسل پنجم به نسل ششم V-NAND ارتقا دهد تا بتواند به تقاضاهای روزافزون بهتر پاسخ دهد.
Samsung 512GB eUFS 3.1 Specs:
| Product | Sequential Read | Sequential Write | Random Read | Random Write |
| ۵۱۲GB eUFS 3.1(March 2020) | ۲۱۰۰MB/s | ۱۲۰۰MB/s(۳X enhancement) | ۱۰۰,۰۰۰ IOPS(۱.۶X enhancement) | ۷۰,۰۰۰ IOPS(۱.۰۳X enhancement) |
| ۵۱۲GB eUFS 3.0(Feb. 2019) | ۲۱۰۰MB/s | ۴۱۰MB/s | ۶۳,۰۰۰ IOPS | ۶۸,۰۰۰ IOPS |
| ۱TB eUFS 2.1(Jan. 2019) | ۱۰۰۰MB/s | ۲۶۰MB/s | ۵۸,۰۰۰ IOPS | ۵۰,۰۰۰ IOPS |
| ۵۱۲GB eUFS 2.1(Nov. 2017) | ۸۶۰MB/s | ۲۵۵MB/s | ۴۲,۰۰۰ IOPS | ۴۰,۰۰۰ IO |
نظرات