سامسونگ امروز تولید تراشه‌های ۳ نانومتری را در کارخانه Hwaseong کره‌جنوبی شروع کرد. شرکت TSMC نیز اخیرا از برنامه‌های خود برای تولید تراشه‌های ۲ و ۳ نانومتری پرده برداشته بود. اما حالا سامسونگ زودتر از این شرکت موفق به این کار شده است.
سامسونگ از معماری جدید GAA در تراشه‌های ۳ نانومتری استفاده خواهد کرد که جایگزین فناوری قبلی FinFET خواهد شد. فناوری جدید در مقایسه تکنولوژی قبلی کارآیی بسیار بالایی خواهد داشت و بسیار کم مصرف خواهد بود.
سامسونگ از فناوری جدید دیگری نیز در ساخت تراشه‌های ۳ نانومتری استفاده خواهد کرد که معروف به فناوری نانوشیت است و جایگزین فناوری قدیمی نانوسیم خواهد شد و به بهبود عملکرد پردازنده کمک شایانی خواهد کرد. نانوشیت‌ها این مزیت را دارند که با تغییر سایز آن‌ها به‌راحتی بتوان پارامترهای عملکرد و مصرف انرژی آن‌ها را تنظیم کرد.
- یکی از مدیران اپل سامسونگ را متهم به دزدیدن فناوری‌های این شرکت کرد
- سامسونگ گلکسی A فولد و فلیپ به عنوان تاشوهای میان رده به بازار عرضه می شوند
به‌گفته سامسونگ، فناوری ۳ نانومتری در مقایسه با فناوری ۵ نانومتری ۲۳ درصد افزایش عملکرد و ۴۵ درصد کاهش مصرف انرژی خواهد داشت و سطح اشغال شده توسط آن نیز ۱۶ درصد کاهش خواهد یافت. سامسونگ گفته است که نسل دوم این تراشه‌ها ۳۰ درصد افزایش عملکرد و ۵۰ درصد کاهش مصرف انرژی خواهند داشت و ۳۵ درصد فضای کمتری اشغال خواهند کرد.
سامسونگ همچنین در حال کار روی قابلیتی است که به شرکت‌های سازنده گوشی هوشمند اجازه طراحی سریع‌‌تر و راحت‌تر این تراشه‌ها را خواهد داد.
اول تراشه ۳ نانومتری که در کارخانه جدید سامسونگ ساخته خواهد شد نسل بعدی اگزینوس ۲۳۰۰ است که استفاده از ترانزیستورهای GAA در آن باعث عملکرد بهتر آن خواهد شد.
شرکت TSMC اخیرا برای رقابت با سایر شرکت‌ها قیمت تراشه‌های ساخت خودش را کاهش داده است و باید منتظر بمانیم و ببینیم که سامسونگ تراشه‌های ۳ نانومتری خودش را با چه قیمتی عرضه خواهد کرد و رقابت در ابن بازار به کدام سمت و سو خواهد رفت. با این حال انتظار نمی‌رود امسال شاهد استفاده از این تراشه‌ها در سری گلکسی S23 باشیم.
منبع: PhoneArena
نظرات