سامسونگ برنامه ی خود برای توسعه ی چیپ های 4nm را مشخص کرد

در حال حاضر بهترین چیپ ست ها با پردازنده ی  ۱۰ نانومتری (10nm) ساخته می شوند. سامسونگ در میان پیشروانی است که به این هدف رسیده اند. هر چه اندازه ی پردازنده کوچک تر باشد، این چیپ ها چون میتوان ترانزیستور های بیشتری روی آن ها قرار داد، قوی تر و با کارایی بیشتر انرژی می شوند. این به قانون مور (Moore’s Law) که توسط گوردن مور (Gordon Moore) یکی از بنیانگذاران اینتل (Intel)در سال ۱۹۶۵ ابداع شده، مربوط است. او خاطر نشان کرد که تعداد ترانزیستور ها در هر اینچ مربع از مدار های یکپارچه هر دو سال یک بار دو برابر می شود.

سامسونگ نقشه ی راهی را بنا نهاده که نشان می دهد این شرکت چگونه قصد رفتن از پردازنده های ۱۰ نانومتری کنونی به ۴ نانومتری را دارد. بنا بر مطالبی که در انجمن ریخته گری سامسونگ (Samsung Foundry Forum) ارائه شد، گام بعدی سامسونگ تولید تراشه های ۸ نانومتری با استفاده از پردازنده های Low Power Plus خود است. پردازنده ی ۷ نانومتری Low Power Plus این شرکت اولین پردازنده ای خواهد بود که از لیتوگرافی (lithography) ماورا بنفش اکستریم (Extreme Ultra Violet)، که برای حکاکی طرح مدار روی ویفر سیلیکون به کار برده می شود، استفاده می کند. تا زمانی که سامسونگ به پردازنده ی ۶ نانومتری Low Power Plus خود برسد، از راه حل جدیدی برای تغییر مقیاس هوشمند (Smart Scaling) استفاده خواهد کرد که به آن اجازه ی بهره مندی از مزایا نیروی فوق العاده کم را می دهد.

از آنجا، سامسونگ می گوید که به پردازنده ی ۵ نانومتری Low Power Plus خود می رسد، و پس از آن هم به خود هدف. پردازنده ی ۴ نانومتری Low Power Plus اولین پردازنده ای خواهد بود که از معماری دستگاه نسل بعدی با نام Multi Bridge Channel FET استفاده خواهد کرد. تکنولوژی Sumsung’s Gate All Around FET است که طراحی شده تا  محدودیت های مقیاس بندی و عملکرد فیزیکی معماری FinFET را حل کند.

از ۱۰ نانومتر به ۴ نانومتر رسیدن زمان بر است، و موانع و مشکلاتی در طول راه وجود خواهد داشت. اما اگر سامسونگ به از بین بردن تک تک موانع درطی راه رسیدن به چیپ های ۴ نانومتری ادامه دهد، مصرف کنندگان می توانند از عملکرد سریع تر دستگاه های موبایل خود لذت ببرند در حالی که انرژی کمتری را نیز مصرف می کنند.