سامسونگ خود را برای تولید انبوه نسل سوم تراشههای ۴ نانومتری آماده میکند و ظاهرا این شرکت قصد دارد در نسل جدید بازدهی فناوری خود را افزایش دهد. نسل سوم نهتنها عملکرد بهتری خواهد داشت بلکه مصرف انرژی پایینتری ارایه خواهد کرد.
طبق اطلاعاتی که امروز فاش شده است تولید انبوه نسل سوم فناوری ۴ نانومتری سامسونگ از نیمه اول ۲۰۲۳ آغاز خواهد شد. در حالیکه بازدهی فناوری ۴ نانومتری TSMC به ۷۰ الی ۸۰ درصد میرسد ساسونگ حالا قصد دارد بازدهی تراشههای ۴ نانومتری خود را به ۶۰ پرصد برساند.
شرکت TSMC ظاهرا از سال ۲۰۲۴ در کارخانهی آریزونا آمریکا به تولید فرآیند ۴ نانومتری خود مشغول خواهد شد. این در حالی است که بزرگترین تولیدکنندهی تراشه در جهان در ابتدا قصد داشت تا در این کارخانه ویفرهای ۵ نانومتری تولید کند.
بهنظر میرسد اپل، که بزرگترین مشتری TSMC به حساب میآید، این شرکت تایوانی را به ساخت ویفرهای ۴ نانومتری ترغیب کرده است. در حال حاضر گوشیهای آیفون ۱۴ از تراشهی مبتنی بر فرآیند ۴ نانومتری TSMC بهره میبرند و قرار است که تراشهی سری آیفون ۱۵ نیز بر پایهی فرآیند ۳ نانومتری این شرکت ساخته شود. تولید تراشههای ۳ نانومتری TSMC در کارخانهی آریزونا باعث خواهد شد تا بخش بزرگی از مراحل تولید گوشیهای آیفون به آمریکا انتقال داده شود.
در حال حاضر تراشههای ۴ و ۵ نانومتری در۲۲ درصد گوشیها و فناوری ۶ و ۷ ناتومتری در ۱۶ درصد گوشیها استفاده شدهاند. هماکنون بخش بزرگی از تراشههای موجود در بازار توسط شرکتهای تایوانی ساخته میشوند و از آنجایی که احتمال حملهی نظامی چین به این کشور وجود دارد، آمریکا سعی دارد تا صنعت تراشهسازی را به کشور خود انتقال دهد.
نظرات