اندکی بعد از معرفی خانواده سامسونگ گلکسی S10، سامسونگ خود را برای انتشار خبر هیجان انگیز دیگری آماده می‌کند. خبری که برای صنعت ساخت تلفن همراه تکان دهنده خواهد بود. اما آنچه که درباره آن صحبت می‌کنیم، ساخت اولین حافظه ۵۱۲ گیگابایتی eUFS 3.0 توسط سامسونگ است که عملکری خارق‌العاده را در مقایسه با نسل‌های پیشین این حافظه‌ها به ارمغان می‌آورد.
هم‌اکنون این حافظه‌ها در مرحله تولید انبوه به سر می‌برند و بیش از پیش حافظه‌های نسل پیشین خود را یعنی eUFS 2.1 را از رده خارج می‌کنند. نایب رئیس فروش و بازاریابی سامسونگ الکترونیک پا را یک قدم فراتر گذاشته و می‌گوید:
این حافظه‌ها بالاخره به استانداردی هم سطح با حافظه لپ تاپ‌های فوق باریک امروزی رسیده‌اند.
اما لازم به نظر می‌رسد که کمی در مورد مشخصات این حافظه نیز صحبت کنیم. سرعت خواندن اطلاعات این حافظه به ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه می‌رسد، یعنی سرعتی معادل با دوبرابر سرعت حافظه‌های eUFS 2.1 کنونی و سرعتی چهار برابری در مقایسه با حافظه‌های SSD رایج! سرعت نوشتن اطلاعات این حافظه‌ها هم دست کمی از سرعت خواندن آن‌ها ندارد و حدود ۴۱۰ مگابایت بر ثانیه تخمین زده می‌شود.
شاخص آی آپس (IOPS) نیز قابل توجه است، آی آپس خواندن این حافظه ۶۳۰۰۰ و آی آپس نوشتن نیز ۶۸۰۰۰ می‌باشد. برای اینکه بهتر با این اعداد ارتباط برقرار کنید کافی است بدانید که یک حافظه میکرو اس دی معمولی حدود ۶۳۰ بار کند تر از این حافظه می‌باشد.
سامسونگ علاوه بر نسخه ۵۱۲ گیگابایتی در حال تولید نسخه ۱۲۸ گیگابایتی نیز می‌باشد. البته سامسونگ برنامه ساخت نسخه‌های ۲۵۶ گیگابایتی و ۱ ترابایتی را به نیمه دوم سال موکول کرده‌است.
نظر خود را در مورد این خبر با تکفارس در میان بگذارید.
نظرات