سامسونگ امروز اعلام کرد که در حال توسعه نسل بعدی حافظه DDR5 DRAM خود با فناوری ۱۲ نانومتری است که سرعت آن به ۷.۲ گیگابیت بر ثانیه خواهد رسید.
به گفته این شرکت، حافظه DDR5 DRAM آینده این شرکت اولین حافظه دنیا با لیتوگرافی ۱۲ نانومتری خواهد بود و خواهد توانست تحول بزرگی در این حوزه ایجاد کند. سامسونگ یکی از بزرگترین سازندگان حافظه در جهان است و به همین‌خاطر از این شرکت انتظار می‌رود که فناورهای پیشرفته‌ای در این بخش ارائه کند.
سامسونگ در توضیح فناوری بکار رفته در حافظه آینده‌اش گفته است که از متریال جدید high-κ در آن استفاده خواهد کرد که باعث افزایش ظرفیت آن خواهد شد و از طرفی طراحی جدید آن باعث افزایش سرعت و بهبود پارامترهای عملکردی آن خواهد شد. حافظه ۱۲ نانومتری DDR5 DRAM سامسونگ با فناوری EUV ساخته خواهد شد و از بالاترین تراکم دای بهره خواهد برد.
- سامسونگ برای دوازدهمین سال پیاپی برترین تولیدکننده گوشی های هوشمند در کره جنوبی شد
- سامسونگ پاوربانک جدید Galaxy 25W Battery Pack را معرفی کرد
سامسونگ ادعا کرده است که سرعت این حافظه به ۷.۲ گیگابیت بر ثانیه خواهد رسید که این به معنای پردازش همزمان دو فیلم ۳۰ گیگابایتی UHD در عرض فقط یک ثانیه خواهد بود.
البته بحث مصرف انرژی حافظه‌های DRAM نیز از اهمیت زیادی برخوردار است و سامسونگ گفته است که حافظه ۱۲ نانومتری‌اش ۲۳ درصد مصرف انرژی پایین‌تری نسبت به مدل قبلی خواهد داشت. این ویژگی باعث خواهد شد تا استفاده از این حافظه بسیار به‌صرفه‌تر باشد و شرکت‌های IT برای انجام عملیات‌های سنگین خود به سراغ آن بروند.
انتظار می‌رود تولید انبوه این حافظه بسیار پیشرفته از سال ۲۰۲۳ آغاز شود و اگر همه چیز خوب پیش برود ما شاهد گسترس این فناوری در صنایع دیگر خواهیم بود و سامسونگ نیز سعی خواهد مشتریان بیشتری برای آن پیداکند.
منبع: Wccftech
نظرات