اینتل تا سال ۲۰۳۰ تراشه هایی با ۱ تریلیون ترانزیستور می سازد

13 آذر 1401 - 14:30

در حالیکه سامسونگ و TSMC در زمینه فناوری‌های ساخت تراشه به پیشرفت‌های بزرگی دست یافته‌اند و قرار است سال آینده تراشه‌های ۳ نانومتری به بازار عرضه کنند، اینتل هنور نتوانسته اقدام موثری در این زمینه انجام دهد. 

این درحالیست که سامسونگ و TSMC اعلام کرده‌اند که تا سال ۲۰۲۵ فناوری ۲ نانومتری را بذای ساخت تراشه‌ها توسعه خواهند داد و در سال ۲۰۲۷ به سراغ لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری خواهند رفت. البته TSMC برنامه‌هایی نیز برای ساخت تراشه‌های ۱ نانومتری دارد اما هنوز زمانی برای آن اعلام ‌نکرده است. اینتل هم با وجود اینکه عقب‌افتادگی زیادی در این بخش دارد اعلام کرده که قصد دارد تا سال ۲۰۳۰ تراشه‌هایی با ۱ تریلیون ترانزیستور بسازد. ‌

برای کسانی که نمی‌دانند باید بگوییم که هر چه تعداد ترانزیستور در داخل یک تراشه بیشتر باشد عملکرد سریع‌تر و مصرف انرژی کمتری خواهد داشت. اگر بخواهیم مثالی بزنیم، تراشه A13 اپل که در سال ۲۰۱۳ در داخل سری آیفون ۱۱ عرضه شد دارای ۸.۵ میلیارد ترانزیستور بود، در حالیکه تراشه A16 که اخیرا در سری آیفون ۱۴ پرو استفاده شده بود حدود ۱۶ میلیارد ترانزیستور در داخل خود داشت.

البته اینتل همچنان معتقد به قانون مور است. این قانون که از نام Gordon Moore هم‌بنیانگذار این شرکت گرفته شده است می‌گوید که تعداد ترانزیستورهای تراشه‌ها باید هر دو سال ۲ برابر شود . اینتل با دستگاه‌های جدید High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography خود قصد دارد به هدف ۱ تریلیون ترانزیستور در داخل تراشه‌ها دست یابد. ‌

البته خود تراتزیستورها نیز در سال‌های اخیر ارتقا یافته‌اند و ما شاهد جایگزینی ترانزیستورهای FinFET با نوع GAA هستیم‌ که عملکرد بسیار سریعی دارند. سامسونگ از نوع GAA در تراشه‌های ۳ نانومتری خود استفاده کرده است و TSMC می‌خواهد در تراشه‌های ۲ نانومتری خود از آن‌ها استفاده کند.  اینتل نیز از سال ۲۰۲۴ از این ترانزیستورها با نام RibbonFET استفاده خواهد کرد.

در هر حال، باید ببینیم که اینتل چقدر در این زمینه موفق خواهد بود.

منبع: PhoneAr

برچسب‌ها: ،

مطالب مرتبط سایت

نظرات

دیدگاهتان را بنویسید