سامسونگ از برنامه‌های آتی خود برای توسعه نسل بعدی حافظه‌های DRAM که شامل GDDR7, DDR5, LPDDR5X و V-NAND می‌شوند پرده‌برداری کرد.
سامسونگ در این مراسم مشخصات سه حافظه DRAM آینده خود را اعلام کرد که یکی از آن‌ها یک حافظه ۳۲Gb DRAM است که ۲ برابر ظرفیت بیشتری نسبت به مدل ۱۶Gb دارد و ۳۳ درصد عملکرد سریع‌تری نسبت به حافظه ۲۴Gb DDR5 ICs خواهد داشت.
- گزارش: گلکسی S23 اولترا از نظر ظاهری تفاوت خاصی با S22 اولترا ندارد
- رندرهای جدیدی از گلکسی S23 اولترا منتشر شد
سامسونگ همچنین مشخصات اولین حافظه GDDR7 خود منتشر کرد که این خافظه دارای سرعت انتقال ۳۶ Gbps خواهد بود. این سرعت ۵۰ درصد بیشتر از سرعت حافظه ۲۴ Gbps GDDR6 است. انتظار می‌رود کارت‌های گرافیکی RDNA 3 شرکت ای ام دی جزو اولین کارت‌‌هایی باشند که از GDDR7 استفاده می‌کنند.
حافظه بعدی یک حافظه ۳۶ Gbps DRAM است که دارای پهنای باند ۱.۷ ترابایت بر ثانیه در اینترفیس ۳۸۴ بیت باس خواهد بود و در اینترفیس ۲۵۶ بیت باس پهنای باند ۱.۱۵ ترابایت بر ثانیه را ارائه خواهد کرد. این نرخ‌ها در مقایسه با نرخ‌های کنونی بسیار بالا هستند.
منبع: Wccftech
نظرات