در حالیکه رقابت در بازار تراشه‌های موبایلی در حال شدیدتر شدن است، سامسونگ می‌خواهد همچنان پیشتاز این بازار باشد.این شرکت اعلام کرده است که تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را قبل از تابستان امسال شروع خواهد کرد.
سامسونگ قبلا گفته بود که تولید انبوه این تراشه‌ها را از نیمه اول ۲۰۲ آغاز خواهد کرد و نسل دوم آن‌ها را از سال ۲۰۲۳ ارائه خواهد نمود. حالا این شرکت کره‌ای گفته که ظرف چند هفته آینده تولید تراشه‌های مذکور را شروع خواهد کرد.
اگر این اتفاق رخ بدهد برای اولین بار در دنیا شاهد استفاده از ترانزیستورهای GAAFET در داخل تراشه‌ها خواهیم بود که سامسونگ اسم این ترانزیستورها در تراشه‌های ۳ نانومتری خود را MBCFET گذاشته است.
- رایزن ۷ ۵۸۰۰X3D به عنوان بهترین تراشه ای ام دی در UserBenchmark شناخته شد
- کوالکام از عرضه تراشه های دسکتاپ در سال ۲۰۲۳ خبر داد
ترانزیستورهای MBCFET این مزیت را خواهند داشت که قادر به کار در ولتاژهای پایین‌تر از ۰.۷۵ ولت خواهند بود و این موضوع باعث خواهد شد تا مصرف اترژی ۵۰ درصد بهینه‌تر شده و عملکرد ۳۰ درصد افزایش یابد. ضمن اینکه فضای اشغال شده نیز تا ۴۵ درصد کاهش خواهد یافت.
از طرف دیگر، تراکم این ترانزیستورها می‌تواند به حد فناوری‌های ۴ نانومتری اینتل و ۵ نانومتری TSMC برسد، اما این ترانزیستورهای سامسونگ به خاطر داشتن کانال‌های عریض‌تر و نشت جریان کمتر عملکرد بهتری خواهند داشت.
شرکت‌هایی مثل اینتل و TSMC نیز به دنبال استفاده از GAAFET در سال‌های آینده هستند، با این خال سامسونگ می‌گوید که سازگاری MBCFET با فناوری FinFET کمی هزینه‌بر است و باعث شتاب توسعه آن نمی‌شود.
سامسونگ در سه ماهه اول امسال عملکرد بسیاری خوبی در زمینه فروش چیپ‌های NAND و DRAM داشته است و سودآوری این شرکت رکورد بی‌سابقه ۱۱.۲ میلیارد دلار را ثبت کرده که در نوع خود بی‌نظیر است.
منبع: Techspot
نظرات