معماری جدید آرم علت اصلی گرم شدن بیش از حد گوشی های اندرویدی بوده است

25 فروردین 1401 - 08:16
آرم

تراشه‌های پرچمدار جدید سامسونگ و کوالکام، که از آن‌ها در بسیاری از گوشی‌های اندرویدی جدید استفاده شده است، از مشکل گرم‌شدن بیش از حد رنج می‌برند. در حالی که بسیاری از افراد فرآیند تولید 4 نانومتری سامسونگ را مقصر اصلی این موضوع می‌دانستند اما گزارش‌های جدید نشان می‌دهند که معماری آرم (Arm) باعث ایجاد این مشکل شده است.

هر دو تراشه‌ی اسنپدراگون 8 نسل 1 و اگزینوس 2200 از فرآیند تولید 4 نانومتری یکسانی برخوردار بوده و معماری آن‌ها نیز شامل دو هسته‌ی Cortex X2، سه هسته‌ی Cortex A710 و چهار هسته‌ی Cortex A510 می‌شود. عملکرد این هسته‌ها در مقایسه با معماری قبلی آرم به ترتیب 16، 10 و 35 درصد سریع‌تر است اما همین افزایش سرعت باعث افزایش گرمای تولیدشده نیز شده است. گفته می‌شود که کوالکام برای رفع این موضوع فرکانس هسته‌های X2 تراشه‌ی اسنپدراگون 8 نسل 1 پلاس را کاهش داده است.

بر اساس گزارش‌های اخیر، کوالکام در ساخت تراشه‌ی اسنپدراگون 8 نسل 1 پلاس از فرآیند تولید 4 نانومتری سامسونگ استفاده نکرده و فرآیند تولید مشابه شرکت TSMC را جایگرین آن کرده است. تراشه‌ی دایمنسیتی 9000 شرکت مدیاتک نیز از همین فرآیند تولید بهره برده و توانسته تا علی‌رغم ارائه‌ی عملکردی قدرتمند، مصرف انرژی پایینی داشته باشد. این در حالی است که اپل نیز در تراشه‌های خود از معماری شرکت آرم استفاده می‌کند اما نه تنها عملکرد تراشه‌های بایونیک اپل از سایر رقبا بهتر بوده بلکه خبری از مشکل گرم‌شدن بیش از حد در این تراشه‌ها نیست.

منبع: PhoneArena

برچسب‌ها: ، ، ، ، ،

نظرات

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.